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292407-4

Double Data Rate (DDR) 2, 4 mm [.157 in] Stack Height, Right Angle Module Orientation, 200 Position, DDR2 SO DIMM, SO DIMM Sockets

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EMBOSS DDR2 SODIMM 200P 4H RVS-292407-4

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    • DDR2 SO DIMM
      • ,
    • RAYCHEM RVS
  • TE 内部编号 292407-4
  • TE 内部产品描述 EMBOSS DDR2 SODIMM 200P 4H RVS

  • DRAM 类型 : 双倍数据速率 (DDR) 2

  • 堆叠高度 : 4 mm [ .157 in ]

  • 模块方向 : 直角

  • 位数 : 200

  • 中心线（间距） : .6 mm [ .024 in ]

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产品类型特性

  • 连接器系统 : 缆到板

  • 连接器和端子端接到 : 印刷电路板

  • DRAM 类型 : 双倍数据速率 (DDR) 2

结构特性

  • 行数 : 2

  • 钥匙数 : 1

  • 托架数 : 2

  • 模块方向 : 直角

  • 位数 : 200

电气特征

  • DRAM 电压 (V): 1.8

信号特征

  • SGRAM 电压 (V): 1.8

主体特性

  • 弹射器位置 : 两端

  • 弹射器类型 : 锁定

  • 模块钥匙类型 : SGRAM

  • 插销材料 : 不锈钢

  • 插销电镀材料 : 锡

  • 连接器外形 : 标准

接触件特性

  • PCB 端子端接区域电镀材料 : 镀金

  • 端子基材 : 铜合金

  • 内存插槽类型 : 内存卡

  • 端子额定电流（最大值） (A): .5

  • 端子接触部电镀材料 : 镀金

端接特性

  • PCB 端接方法 : 表面贴装

  • 插入种类 : 凸轮

机械附件

  • PCB 安装固定 : 带有

  • 接合对准类型 : 反向键控

  • PCB 安装固定类型 : 焊钉

  • 连接器安装类型 : 板安装

壳体特性

  • 壳体颜色 : 黑色

  • 外壳材料 : 高温热塑塑料

  • 中心线（间距） : .6 mm [ .024 in ]

尺寸

  • 堆叠高度 : 4 mm [ .157 in ]

  • 行间距 : 5.8 mm [ .228 in ]

使用环境

  • 工组温度范围 : -55 – 85 °C [ -67 – 185 °F ]

操作/应用

  • 电路应用 : 电源

行业标准

  • UL 阻燃性等级 : UL 94V-0

包装特性

  • 封装数量 : 200

  • 封装方法 : Reel

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