低场灵敏度和高场灵敏度有什么区别?
磁灵敏度是指传感器检测磁场强度变化的能力。这是磁阻传感器的一个关键特性,决定了它们测量磁场变化的效率。
什么是极距?
极距是一个关键测量指标,是指磁化表面或磁场内相邻磁极之间的距离。它影响传感器准确检测和测量磁场变化的能力。
磁场强度有哪些特性?
弱磁场、中磁场和强磁场的场强特性各不相同。以下是每个磁场的相关标准:
在开关电压下,开关场如何等效于磁场?
在磁阻 (MR) 传感器中,改变传感器电阻状态所需的特定磁场强度称为开关场。当施加开关场时,传感器会改变其电阻,我们将其检测为电压(开关电压)的变化。本质上,开关场触发传感器切换其电阻状态,开关电压指示这种变化。
磁传感器中气隙的作用是什么?
磁阻传感器中的气隙是传感器和磁源之间的距离。该气隙对传感器的性能和精度会产生关键影响。正确管理气隙可以获得一致、可靠的结果。
什么是晶圆级封装?
晶圆级封装 (WLP) 将数百或数千个传感器的制造、封装、测试和老化集成在半导体材料(称为晶圆)薄片上,然后将其分成单独的传感器。
主要优势:
典型应用:
AMR 传感器如何确定物体的旋转角度?
AMR 传感器通过检测磁场方向来确定物体的旋转角度。当永磁体旋转时,传感器会检测由于各向异性磁阻效应而导致的电阻变化。通过使用惠斯通电桥配置,传感器可将电阻变化转换为差分正弦和余弦信号。计算机算法能够处理这些信号以确定精确的旋转角度。适当校准对于准确测量旋转角度至关重要,包括校正偏移、幅度和正交性误差。AMR 传感器可以测量高达 180° 的角度,精度在 0.5° 到 0.1° 之间。然而,通过将 AMR 传感与霍尔效应锁存器相结合,这款传感器可以实现 360° 角度测量。
惠斯通电桥如何提高 AMR 传感器的性能?
AMR 传感器通常采用以惠斯通电桥配置排列的电阻元件来检测由于各向异性磁阻效应引起的电阻变化。电桥产生与磁场方向相对应的差分正弦和余弦信号。计算机算法能够处理这些信号以确定物体的精确位置。通常采用多个惠斯通电桥来提高 AMR 传感器的精度和分辨率。
功能:
优势:
应用:
什么是均匀磁场传感?
均匀磁场传感是指在被测区域检测强度和方向均匀的磁场。磁阻传感器旨在准确、一致地测量磁场的变化。在某些情况下,均匀磁场传感至关重要,而在其他情况下则不那么重要。
均匀磁场传感的关键应用包括:
MRI 机器
在磁共振成像 (MRI) 机器中,高度均匀的磁场对于生成清晰准确的身体内部结构图像至关重要。任何不均匀性都可能导致图像失真和出现伪影。
磁导航系统
磁导航系统用于航空航天和海洋导航。这些系统依靠均匀磁场来提供精确的方向信息。磁场的变化可能会导致导航错误。
科研
物理学和材料科学中的实验通常需要均匀磁场来确认结果不受场变化的影响。
磁滞如何影响磁阻传感器的精度?
迟滞是指系统中输入和输出之间的滞后,特别是当磁场改变方向时。在磁阻传感器中,迟滞会以多种方式影响传感器精度:
缓解技术:
各向异性磁阻 (AMR) 和巨磁阻 (GMR) 传感器都通过薄膜电阻的相关变化来检测磁场的变化。它们也用于类似的应用。但是,在工作原理和关键性能特征方面存在差异:
检测原理 | |
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AMR 传感器测量由于铁磁材料中磁化强度与电流方向之间的角度而导致的电阻变化。发生这种效应是因为电阻随磁场相对于电流的方向而变化。 | GMR 传感器依赖由非磁性层隔开的多层铁磁结构中磁化强度对齐引起的电阻变化。当磁性层平行排列时,电阻较低;当它们是反平行排列时,电阻较高。 |
灵敏性 | |
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通常,AMR 传感器具有中等灵敏度,适用于需要精确但不是极高灵敏度的应用。 |
与 AMR 传感器相比,GMR 传感器具有更高的灵敏度,能够检测到磁场中非常小的变化。这使其适合需要高精度的应用。 |
结构 | |
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通常,AMR 传感器由单层铁磁材料组成,例如坡莫合金(镍铁合金)。 | GMR 传感器由多层组成,包括铁磁层(例如钴)和非磁性层(例如铜)。这种多层结构是实现巨磁阻效应的关键。 |
性能特征 | |
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AMR 传感器简单且具有出色的成本效益,检测范围窄,滞后小。 | GMR 传感器可提供更宽的检测范围和更高的可靠性,尽管它们在存在强永磁体的情况下可能会表现出多个开关点。 |
各向异性磁阻 (AMR) 传感器和霍尔效应传感器都可以检测磁场,但工作方式不同,并且具有不同的特性:
工作原理 | |
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AMR 传感器能够检测由于铁磁材料中磁化强度与电流方向之间的角度而导致的电阻变化。 | 霍尔效应传感器可测量暴露在磁场中时垂直于电流产生的电压。 |
灵敏性 |
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与霍尔效应传感器相比,AMR 传感器通常具有更高的灵敏度,适合检测磁场的微小变化。 |
磁场方向 | |
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AMR 传感器对平行于传感器的磁场做出响应。 | 霍尔效应传感器对垂直于传感器的磁场做出响应。 |
设计灵活性 | |
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AMR 传感器能够检测水平磁场,因此提供了更大的设计灵活性。 | 霍尔效应传感器通常要求将磁铁直接放置在传感器上方。 |