适用于严苛环境的高分辨率 AMR 传感器
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- MEAS KMXP 系列
KMXP 系列各向异性磁阻式 (AMR) 传感器能够提供高分辨率、高精度和非接触式测量，可在 1mm 至 5mm 范围内提供 10-50 μm 的精度。我们的 KMXP AMR 传感器是满足传感器暴露于油、污垢和灰尘中的严苛环境中应用性能要求的正确选择。
产品特性
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位移传感器产品类型 : 磁性线性位移传感器
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传感器封装 : DFN2x6
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传感范围 (mm): 1, 2, 5
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典型信号振幅 (mV/V): 11
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典型工作电压 (V): 5
概述
位移传感器在许多工业、机器人和医疗应用领域发挥着越来越重要的作用。严苛环境中的高级应用需要即使暴露于油渍、污垢和灰尘中也能表现良好的传感器。 凭借其磁阻技术和可用的外形规格，我们的 KMXP 位移传感器是满足这些需求的正确选择。KMXP 传感器提供比常用的霍尔传感器更高的精度，设计为在包括高温在内的严苛环境中提供可靠和准确的测量。传感器测量原理基于各向异性磁阻效应（AMR 效应）。这款传感器提供两种不同的 DFN 封装方式，可用于多个定位选项。这些封装可以轻松集成到几乎任何自动装配过程中。
KMXP 测量原理
KMXP 传感器由两个磁阻惠斯通电桥组成。电阻器的放置方式是，当传感器沿磁尺移动时，具有匹配磁极距的磁尺的特征磁场分布会产生正弦和余弦信号输出。
主要特性
- 高分辨率和高精度：采用非接触式测量技术的磁阻 (MR) 传感器，可在 1 – 5 mm 范围之间提供 10-50 µm 的精确度。
- 易于装配：DFN2x6 封装适用于任何 PCB 装配过程。
- 采用卷带包装，可轻松集成
- 设计自由：垂直或扁平焊接版本，以及用于大气隙应用的较小传感器壁厚。
- 卓越的性能：可以承受高达 150°C 的温度，在任何脏污环境中都具有 EMC 防护性能，对污垢、油渍或灰尘不敏感。
基于磁阻效应的位移传感器可实现高精度的线性位移测量，同时极具成本效益。在严苛环境中，与光学编码器系统相比，非接触式测量原理具有明显优势。在具有中等精度要求但机械公差较高的应用中，可使用基于标度的磁阻传感器系统来解决包括纳米级测量在内的各种精度级别的位移测量任务。线性磁阻传感器采用新式小型 DFN 封装，支持标准、平面或垂直安装，现可通过标准 SMT 装配过程，便捷、广泛地用于各种采用小空间设计的应用。
规格特性
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产品类型特性
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位移传感器产品类型 磁性线性位移传感器
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传感器封装 DFN2x6
电气特征
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典型工作电压 (V) 5
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典型平均电流 (mA) 1.5, 3
使用环境
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传感范围 (mm) 1, 2, 5
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工组温度范围 -40 – 150 °C [ -40 – 302 °F ]
操作/应用
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典型信号振幅 (mV/V) 11
参考编号
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TE 内部编号 CAT-MRS0006
相关资料
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