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概述

KMT32B 磁性 AMR 角度传感器包含两个平行的惠斯通电桥,每个电桥可以测量 45 度的敏感角度。 平行于芯片(x-y 平面)的表面上的旋转磁场将因此提供两种独立的正弦曲线输出信号,一种按照 cos(2) 函数计算,另一种按照 sin(2) 函数计算,在传感器和磁场方向之间形成角度(参见图 2)。KMT32B 磁场传感器适合在常规磁场强度 H0 ≥ 25 kA/m 的情况下(例如,在室温下距离为 5.2 mm 时,来自 Magnetfabrik Bonn 的磁体 67.044 生成的磁场强度)高精确角度测量应用。如降低精度,KMT32B AMR 角度传感器可用于磁场强度 H0 ≥ 14 kA/m 的应用场景(室温下;了解地磁场产生的影响!)。大多数磁体的磁场强度随温度改变,但磁场方向不变。

优势

  • 非接触式角度位移,非常适合严苛环境
  • 线性度优化设计
  • 高精度
  • 低成本、低功耗
  • 自我诊断功能
  • 有吸引力的 SMD 封装
  • 用户可完全控制信号估值
  • 宽工作温度范围(-40°C 至 +150°C,可根据请求提高至 160°C)
  • 符合 REACH 和 RoHS 标准(无铅)

应用

  • 绝对和增量角度测量
  • 汽车(转向角、扭矩)
  • 机器人技术
  • 摄像机定位
  • 电位计更换
  • 医疗应用中的位置测量
  • 电机运动控制
KMT32B 磁性 AMR 角度传感器包含两个平行的惠斯通电桥,每个电桥可以测量 45 度的敏感角度。
规格特性

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产品类型特性

  • 位移传感器产品类型  磁性角度传感器

  • 传感器封装  SO8, TDFN2.5x2.5

电气特征

  • 典型工作电压 (V) 5

  • 典型平均电流 (mA) 1.6

使用环境

  • 传感范围 (°) 0 – 180

  • 工组温度范围  -40 – 150 °C [ -40 – 302 °F ]

操作/应用

  • 输出信号类型  无源模拟

  • 典型信号振幅 (mV/V) 11

参考编号

  • TE 内部编号 CAT-MRS0003

相关资料

数据表/目录页