3001345-F
Avalanche Photodiode, .04 mm² [.000062 in²] Active Area, .23 mm [.009 in] Active Area Diameter, 750 – 910 nm Wavelength, Transistor Outline (TO)
3001345-F
Avalanche Photodiode, .04 mm² [.000062 in²] Active Area, .23 mm [.009 in] Active Area Diameter, 750 – 910 nm Wavelength, Transistor Outline (TO)
- TE 内部编号 3001345-F
- TE 内部产品描述 AD230-9 TO (TO52S1gw; Ubr 160-200V)
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光学探测器类型 : 雪崩光电二极管
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总有效面积 : .04 mm² [ .000062 in² ]
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有效面积直径 : .23 mm [ .009 in ]
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工作波长 (nm): 750 – 910
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传感器封装 : 晶体管轮廓 (TO)
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- AD230-9 TO (TO52S1gw; Ubr 160-200V) ENG_DS_AD230-9_TO_TO52S1gw_Ubr_160-200V_A.pdf 英文版本
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产品功能与特性
全选
产品类型特性
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光学传感器产品类型 : 探测器
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光学探测器类型 : 雪崩光电二极管
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传感器封装 : 晶体管轮廓 (TO)
信号特征
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工作波长 (nm): 750 – 910
尺寸
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总有效面积 : .04 mm² [ .000062 in² ]
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有效面积直径 : .23 mm [ .009 in ]
使用环境
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工组温度范围 : -40 – 212 °C [ -40 – 212 °F ]
操作/应用
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光学传感器应用 : 光度测定, 医疗设备, 激光测距仪, 激光雷达, 距离测量, 高速光通信
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