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概述

MS32 是一款采用惠斯通桥结构的磁场传感器。 该传感器的四个电阻均采用坡莫合金制成,这种材料具有各向异性磁阻效应。与沿 y 轴的芯片(x-y 平面)平行的表面上存在一个单向磁场,将根据磁场提供输出信号。磁场开关点差不多与温度相互独立,通常设置为 Hs=1.85 kA/m。此外,宽磁场范围中的特征曲线呈线性。因此,新型 MS32 简化了传感器调整以适应不同的机械和磁场环境。传感器芯片采用 TDFN 封装。

特点

  • 传感器基于固态磁阻效应
  • 单极信号输出
  • 线性磁场响应
  • 高灵敏度,低磁滞
  • 温度补偿开关点
  • 高桥路电阻带来的低功耗
  • 电源电压高达 30 V
  • 小型 TDFN 封装

特性

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产品类型特性

  • 产品类型  磁性开关传感器

电气特征

  • 典型工作电压 (V) 5

  • 典型平均电流 (mA) .5

使用环境

  • 传感范围 (kA/m) 1.4 – 2.3

  • 工作温度  -40 – 125 °C [ -40 – 257 °F ]

操作/应用

  • 信号输出  无源模拟

  • 典型信号振幅 (mV/V) 0

包装特性

  • 封装  TDFN2.5x2.5

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